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IRF2204PBF  与  IPP023N04N G  区别

型号 IRF2204PBF IPP023N04N G
唯样编号 A-IRF2204PBF A-IPP023N04N G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 4.4mm 4.4mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 3.6mΩ 2.3mΩ
上升时间 - 6.6ns
Ciss - 7300.0 pF
Qg-栅极电荷 130nC -
Rth - 0.9 K/W
Coss - 2000.0 pF
栅极电压Vgs 20V 2V,4V
Special Features - ORing/Efuse
封装/外壳 TO-220AB TO-220
工作温度 -55°C~175°C(TJ) -55°C~175°C
连续漏极电流Id 210A 90A
配置 Single Single
QG (typ @10V) - 90.0 nC
Ptot max - 167.0W
长度 10mm 10mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 10V -
下降时间 - 7.8ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5890pF @ 25V -
高度 15.65mm 15.65mm
Budgetary Price €€/1k - 0.54
漏源极电压Vds 40V 40V
Moisture Level - NA
Pd-功率耗散(Max) 330W 167W
典型关闭延迟时间 - 40ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® -
通道数量 1Channel 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 4V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5890pF @ 25V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 200nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 27ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 200nC @ 10V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF2204PBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

TO-220AB 10mm

暂无价格 0 当前型号
IPP039N04L G Infineon  数据手册 功率MOSFET

IPP039N04LGXKSA1_10mm TO-220-3

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PSMN8R0-40PS_SOT78

¥8.3907 

阶梯数 价格
20: ¥8.3907
50: ¥6.8776
0 对比

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